Сегодня на рынке памяти стоимостью 165 миллиардов долларов в год доминируют DRAM и NAND Flash. Первый быстрый и обладает отличной выносливостью, но нестабильен и требует постоянного обновления данных. Последний, с другой стороны, является энергонезависимым и сохраняет данные при отсутствии питания, но работает медленнее и имеет плохую выносливость при циклическом программировании/стирании.
ULTRARAM, разработанная дочерней компанией Quinas Technologya из Ланкастерского университета в Великобритании, сочетает в себе преимущества обоих, обеспечивая быструю, энергонезависимую память с высокой надежностью и сверхнизкой энергией переключения.
Эта технология, недавно получившая награду на саммите флэш-памяти, имеет превосходный срок службы по сравнению с флэш-накопителями, соответствует скорости чтения/записи системной памяти и требует меньше энергии. Резонансное туннелирование
ULTRARAM использует квантово-механический процесс, называемый резонансным туннелированием, который позволяет обеспечить энергонезависимость с возможностью быстрой записи и стирания с низким энергопотреблением, что обеспечивает высокую надежность. Такое сочетание качеств ранее считалось недостижимым, поэтому некоторые называют его «Святым Граалем для технологий памяти».
ULTRARAM не основан на кремнии, а использует материалы, известные как составные полупроводники III-V, включая антимонид галлия (GaSb), арсенид индия (InAs) и антимонид алюминия (AlSb).
В отличие от флэш-памяти, в которой для улавливания заряда используется оксидный барьер с высоким сопротивлением, ULTRARAM использует атомарно тонкие слои InAs/AlSb для создания структуры с «тройным барьером резонансного туннелирования» (TBRT), удерживающей заряд. Это позволяет ULTRARAM переключаться между состоянием с высоким сопротивлением и состоянием с высокой проводимостью, придавая ему уникальные свойства.
Энергоэффективность ULTRARAM, безусловно, впечатляет. Заявленная энергия переключения на единицу площади в 100 раз ниже, чем у DRAM, в 1000 раз ниже, чем у флэш-памяти, и более чем в 10 000 раз ниже, чем у других эмерджентных запоминающих устройств. Свойства сверхнизкого энергопотребления дополнительно улучшаются за счет неразрушающего считывания и энергонезависимости, что исключает необходимость обновления.
Выносливость ULTRARAM также поразительна. Quinas утверждает, что продемонстрировал работу без деградации в течение более 10 миллионов циклов программирования/стирания.
Разработка ULTRARAM является своевременной, поскольку центры обработки данных потребляют все больше электроэнергии. Уменьшая энергию, необходимую для хранения данных в активной памяти или перемещения их между хранимой и активной памятью, ULTRARAM может значительно снизить потребности отрасли в энергии.
И еще одно преимущество? Изобретатели утверждают, что его можно производить массово, используя существующие производственные процессы в полупроводниковой и кремниевой промышленности. Другие работы из Нью-Йорка Брейкинга
Статья добавлена ботом, с использованием машинного перевода : https://nybreaking.com/category/tech/
